三星加速研发移动端HBM技术，突破带宽瓶颈赋能端侧AI

2026年5月18日，韩国半导体领军企业三星电子正加速推进一项面向智能手机与平板电脑的移动端高带宽内存技术的研发工作，旨在从根本上提升移动终端的本地人工智能运算能力，使设备真正具备强大而高效的端侧智能处理性能。

当前全球内存市场持续处于供不应求状态，三星凭借既有业务优势获得可观收益，顺势切入这一尚处早期阶段的新兴技术领域，抢占未来发展先机。

传统移动设备所用的动态随机存取内存普遍采用铜线键合工艺，其输入输出接口数量被限制在128至256个之间。在此架构下，进一步提升数据传输效率与控制功耗发热时，信号衰减问题日益突出，成为性能升级的主要障碍。

为应对移动终端严苛的空间约束与功耗限制，三星拟在移动端HBM芯片中集成超高纵横比铜柱结构，并结合扇出型晶圆级封装技术。该封装方案与三星即将发布的Exynos 2600等高端移动处理器所采用的先进封装方式一致，可显著改善热管理能力，并有效保障设备在长时间高强度运行下的稳定性与性能输出。

在核心制造环节，三星采用垂直铜柱堆叠工艺，将多层内存芯片以阶梯式结构进行精密堆叠，并利用铜柱精准填充芯片间的微米级间隙。公司已将铜柱纵横比由现行的3:1至5:1大幅提升至15:1至20:1，从而实现数据带宽的跨越式增长。

但这一高密度堆叠方案也带来新的挑战：随着纵横比提高，铜柱直径相应缩小；当直径低于10微米时，其机械强度明显下降，在制造或实际使用过程中易出现弯曲甚至断裂现象。此时，扇出型晶圆级封装技术展现出关键价值——通过将信号引脚与互连线路向外延展布局，不仅强化了芯片整体结构刚性，还大幅扩充了输入输出接口数量，最终使数据带宽较原有水平提升约三成。

目前该项技术仍处于高度保密的研发阶段。依据现有产品演进节奏推测，其首次商用很可能落地于三星首款搭载全自研图形处理器的旗舰级芯片Exynos 2800，或紧随其后的Exynos 2900平台。

除三星外，多家国际科技企业亦正积极评估移动端HBM技术的应用路径。部分厂商已明确将该技术纳入未来数代移动终端的核心硬件规划之中。

业内普遍认为，当前移动端DRAM价格持续高位运行，而HBM在移动场景下的量产工艺尚未完全成熟，成本与良率仍需时间优化。只有待其制造体系趋于稳定、单位容量成本回落至合理区间后，智能手机制造商才可能启动规模化部署。倘若未来几年内存价格维持高位，移动设备的端侧人工智能能力提升，或将更多依赖处理器架构演进与闪存性能迭代等常规升级路径。