DDR6内存即将量产，2027年有望普及

随着生成式人工智能、高性能计算以及数据中心对内存带宽和能效需求的持续攀升，新一代内存标准DDR6正逐步迈向量产与广泛应用阶段。行业预测，DDR6有望在2027年实现大规模普及。

全球三大DRAM制造商——三星、美光与SK海力士均已启动DDR6相关研发工作，重点推进芯片设计、内存控制器优化及封装模组的技术创新与产品布局。按照JEDEC制定的时间规划，DDR6主规范草案已于2024年底完成，而低功耗版本LPDDR6的草案也计划于2025年第二季度公布，预计2026年进入平台级测试与验证环节。

技术层面，DDR6在性能和架构上均有显著提升。初始传输速率可达8800MT/s，在其产品周期内最高速率有望达到17600MT/s，超频版本甚至可能突破21000MT/s，整体性能相较DDR5提升约两到三倍。架构上，DDR6采用4×24-bit通道结构，相较于DDR5的2×32-bit设计，在并行处理能力、数据吞吐效率和频率利用方面更具优势，但同时也对内存模组的I/O设计提出了更严苛的技术要求。

此外，由JEDEC标准化的CAMM2接口正逐渐成为DDR6时代的重要解决方案。该模块化设计融合高带宽、高密度、低信号干扰与轻薄化特性，有效克服了DDR5时代288针DIMM插槽在电气性能和空间利用上的局限，为下一代内存系统的集成与扩展提供了更优路径。