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5分钟变达人 存储菜鸟速成班

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今天一个小伙伴评论留言问我,怎么才能给女盆友讲清楚内存和存储?小编现在就把这部分整理出来,看能不能帮到他以及有类似需求的人。不过小编也想问一句,这样教女盆友学习先进科学技术知识,乱撒狗 粮好吗?尤其是对科学技术知识有兴趣的女盆友,请问哪里有卖?

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RAM+ROM别搞错


先从最基本的说起,RAM是内存,ROM是存储空间,这两者可不要混淆。手机也好电脑也罢,目前都是几乎一致的结构,内存+存储。前者是交换计算数据使用,后者是存储数据使用。



说完了作用,说技术,内存无论是DDR3/L、DDR4、LPDDR,甚至是显卡用的显存GDDR,统称都叫“易失性存储”,讲白一点就是断电就不能保存东西了。但是它的优点是速度奇快,远不是任何类型存储在速度上可以媲美的。


而存储,无论是固态硬盘还是手机存储芯片,统称都叫做“非易失性存储”,相对于内存的“易失性存储”更容易理解了,断电后它们还能够保存内容,这样可以达到存储的功能。


当然世事无绝对,Intel现在推出的傲腾,就打破了两者的界限——拥有内存的速度和存储可以保存内容的特点,不过价格相对也不便宜,不知道以后这个东东能不能改变现在RAM+ROM的构架。


内存究竟是个啥?


DDR3/L、DDR4、LPDDR和GDDR,都是随机存储器(既内存),作用就是交换数据,无论是电脑还是手机,在处理大量运算数据的时候,需要一个容器去暂存待计算/已计算的内容,然后交给其他部分转化计算成果。

电脑上的DDR3/L,前者是标准电压产品,后者DDR3L是低电压产品;DDR4则只有一种,原因也很简单,从设计上就考虑到低电压这一点要求了,所以不像DDR3时代还要区分。



LPDDR目前主要是LPDDR3、4,简单说他们就是移动平台上的DDR3/4内存,不同的是LP的意义代表低功耗双倍数据速率内存,能够在带来等效的性能(速度)的同时,兼顾更少的能源消耗。



还有一个要说的就是GDDR,他们也是由内存衍生出来的,那个G的意思是Graphics,就是图形用DDR内存。



闪存怎么那么乱?


其实闪存一点都不乱,简单说目前的闪存类型存储比如固态硬盘啊、手机存储啊,都可以统称为NAND Flash。NAND Flash具有较快的抹写时间,而且每个存储单元的面积也较小,这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。


NAND Flash目前常见的分成MLC颗粒和TLC颗粒,意思是两种不同技术实现的闪存芯片,后者胜在价格更低,但擦写次数要少一些,前者擦写次数更多但是生产成本略高。无论是EMMC还是UFS,都有可能采用TLC或者MLC的颗粒,准确说NAND Flash是UFS或EMMC的一个组成部分。


EMMC


EMMC的全称为“embedded Multi Media Card”,即嵌入式的多媒体存储卡。,eMMC是在NAND Flash芯片的基础上,额外集成了主控制器,并将二者“打包”封装成 一颗BGA芯片。EMMC的速度取决于总线接口。目前, EMMC的总线接口主要以eMMC 4.4、eMMC4.5、eMMC 5.0、eMMC 5.1为主,它们的“理论带宽”分别为 104MB/s、200MB/s、400MB/s和600MB/s。


UFS


UFS的全称是Universal Flash Storage,也就是通用闪存存储,UFS其实就是为了取代EMMC才推出的。其中UFS 2.0 HS-G2的理论带宽为5.8Gbps,也就是大约740 MB/s,更快速的UFS 2.0 HS-G3的理论带宽更是达到了11.6Gbps,也就是约1.5GB/s。但是,这只是理论速度,要想实现这么快的速度,也要看闪存技术的发展。另外,UFS 2.0在改用串行总线后,不再使用 eMMC的半双工方式,而是改用了全双工方式,收发数据可以同时进行。

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具体的小编曾经推送过一篇《什么情况?华为旗舰P10遭遇“闪存门”!》详解UFS和EMMC的差别,这里就不再多说了。


总结一下,内存是个统一的大名词,包含了各种规格的内存技术,比如DDR3/L、DDR4、LPDDR等等;闪存也是如此,通过颗粒和主控的结合,附以不同的技术标准演化出几种不同的存储设备形式,比如EMMC、UFS之类。同时,闪存颗粒自身也有不同的技术方式去实现。现在,你明白这些了吗?


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