近日,根据SK海力士官网显示,海力士目前已经研发出业内最高带宽产品HBM2E DRAM。相较于上一代HBM2产品,新一代HBM2E带宽增长接近50%,容量将近翻倍。
HBM2E基于每个Pin针3.6Gbps的速度性能以及1,024 数据的IOPs,所支持的带宽达每秒460GB。通过TSV技术,最多可以垂直堆叠8个16Gb的芯片,形成密度为16GB的单封装芯片。
HBM事业部负责人Jun-Hyun Chun表示,“自从2013年首款HBM发布以来,SK海力士就建立起了业内领先地位,SK海力士计划在2020年大规模量产HBM2E芯片,并继续加强在该领域的领先地位。”
韩国与日本的贸易摩擦使得全球的半导体存储变数不断增大,希望以海力士为首的韩系厂商能狗保证产能稳定全球的科技产业链,避免之前的恶意涨价现象再次出现。
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