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国产闪存突飞猛进 三星扩大中国NAND产能

为了打破韩国在闪存上的垄断,国内公司都在努力,之前长江存储曾宣布,2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,而今年他们还将出样32层NAND闪存。

这消息足以让人振奋,但就算一切进展顺利,三星等厂商是在今年内全面开始量产64层堆栈闪存,所以国产与其差距也要在2年以上,而真正达到相抗衡的条件,恐怕还要等的更久。

面对国产闪存疯狂追击,三星自然不敢懈怠,其今天宣布将扩大中国西安工厂的NAND闪存芯片产能,未来三年投资70亿美元。

其实在这之前,三星已经在韩国投资186.3亿美元,以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。除了三星,东芝和SK海力士也已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的生产,不过随着高端存储产品的普及,NAND芯片的短缺问题更为严重。

三星现在也在通过更大规模的投资来扩大闪存、内存的产能,毕竟智能手机制造商越来越倾向选择更大存储。

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